SI9945BDY-T1-GE3 与 STS4DNF60L 区别
| 型号 | SI9945BDY-T1-GE3 | STS4DNF60L | ||||||||
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| 唯样编号 | A3t-SI9945BDY-T1-GE3 | A36-STS4DNF60L | ||||||||
| 制造商 | Vishay | STMicroelectronics | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET | N-Channel 60 V 0.055 O 15 nC Surface Mount STripFET™ Power Mosfet - SOIC-8 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOIC-8 | - | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 4.3A | - | ||||||||
| 零件号别名 | SI9945BDY-GE3 | - | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 58mΩ | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 665pF @ 15V | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | - | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 3.1W | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 20nC @ 10V | - | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 3,335 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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SI9945BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
3.1W -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60V 4.3A 58mΩ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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SH8K32GZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A(Ta) 2N-Channel 2.5V@1mA 1.4W(Ta) 8-SOIC 150°C(TJ) 60V |
暂无价格 | 15,030 | 对比 | ||||||||||||||||
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STS4DNF60L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
￥3.355
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3,335 | 对比 | |||||||||||||||||
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SH8K32GZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A(Ta) 2N-Channel 2.5V@1mA 1.4W(Ta) 8-SOIC 150°C(TJ) 60V |
￥11.7577
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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SH8K32GZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A(Ta) 2N-Channel 2.5V@1mA 1.4W(Ta) 8-SOIC 150°C(TJ) 60V |
￥11.7577
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700 | 对比 | ||||||||||||||||
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IRF7103QTR | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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