SI8410DB-T2-E1 与 FDZ372NZ 区别
| 型号 | SI8410DB-T2-E1 | FDZ372NZ |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SI8410DB-T2-E1 | A3t-FDZ372NZ |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 未分类 |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | 4-uFBGA | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 37mΩ@1.5A,4.5V | - |
| 漏源极电压Vds | 20V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 780mW(Ta),1.8W(Tc) | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.5V,4.5V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 850mV @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 620pF @ 10V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 16nC @ 8V | - |
| 栅极电压Vgs | ±8V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI8410DB-T2-E1 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 20V ±8V 780mW(Ta),1.8W(Tc) 37mΩ@1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) 4-uFBGA |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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FDZ372NZ | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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