SI7850DP-T1-GE3 与 NVMFS5826NLT1G 区别
| 型号 | SI7850DP-T1-GE3 | NVMFS5826NLT1G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SI7850DP-T1-GE3 | A3t-NVMFS5826NLT1G |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 未分类 |
| 描述 | Single N-Channel 60 V 0.022 Ohm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SO-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 3.6W(Ta),39W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 22mΩ | 24 毫欧 @ 10A,10V |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.8W(Ta) | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | PowerPak-8 | SO-FL |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 6.2A | 8A(Ta) |
| 系列 | TrenchFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 850pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 27nC @ 10V | 17nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 850pF @ 25V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 17nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
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