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SI7748DP-T1-GE3  与  FDMS8670S  区别

型号 SI7748DP-T1-GE3 FDMS8670S
唯样编号 A3t-SI7748DP-T1-GE3 A3t-FDMS8670S
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 N Channel 3 0V 0.0048 O 92 nC Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK- SO-8 N-Channel 30 V 3.5 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - Power 56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 2.5W(Ta),78W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.8 mOhms @ 15A,10V 3.5 毫欧 @ 20A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 4.8W(Ta),56W(Tc) 2.5W(Ta),78W(Tc)
Vgs(th) 2.7V @ 1mA -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 50A(Tc) 20A(Ta),42A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - PowerTrench®,SyncFET™
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 15V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4000pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 73nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4000pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 73nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI7748DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

50A(Tc) N-Channel 4.8 mOhms @ 15A,10V 4.8W(Ta),56W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 30V

暂无价格 0 当前型号
FDMS8660AS ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 对比
FDMS8670S ON Semiconductor 通用MOSFET

2.5W(Ta),78W(Tc) 3.5m Ohms@20A,10V -55°C~150°C(TJ) Power 20A N-Channel 30V 20A(Ta),42A(Tc) ±20V 3.5 毫欧 @ 20A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PQFN(5x6) 8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
FDMS7672AS ON Semiconductor 通用MOSFET

2.5W(Ta),46W(Tc) 4m Ohms@18A,10V -55°C~150°C(TJ) Power 19A N-Channel 30V 19A(Ta),42A(Tc) ±20V 4 毫欧 @ 18A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PQFN(5x6) 8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比

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