SI7625DN-T1-GE3 与 PXP6R7-30QLJ 区别
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规格信息
型号	SI7625DN-T1-GE3	PXP6R7-30QLJ
唯样编号	A3t-SI7625DN-T1-GE3	A3t-PXP6R7-30QLJ
制造商	Vishay	Nexperia
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	通用MOSFET	通用MOSFET
描述	P-Channel 30 V 7 mO 5126 nC Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-1212-8	PXP6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
数据表	SI7625DN-T1-GE3.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
功率耗散(最大值)	-	1.8W(Ta),50W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	7 mOhms @ 15A,10V	-
技术	-	MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds	30V	-
Pd-功率耗散(Max)	3.7W(Ta),52W(Tc)	-
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)	-	4400 pF @ 15 V
Vgs(th)	2.5V @ 250uA	-
FET类型	P-Channel	P 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值)	-	133 nC @ 10 V
封装/外壳	PowerPAK® 1212-8	SOT8002
连续漏极电流Id	35A(Tc)	-
工作温度	-55°C~150°C	-55°C~150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值)	-	2.5V @ 250uA
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值)	-	6.7 毫欧 @ 12.6A,10V
Vgs(最大值)	±20V	±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)	-	4.5V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id)	-	12.6A(Ta),66.6A(Tc)
漏源电压(Vdss)	-	30 V
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
SI7625DN-T1-GE3	Vishay	数据手册	通用MOSFET	35A(Tc) P-Channel 7 mOhms @ 15A,10V 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 30V	暂无价格	0	当前型号
FDMC6679AZ	ON Semiconductor	数据手册	通用MOSFET	11.5A(Ta),20A(Tc) ±25V 2.3W(Ta),41W(Tc) 10m Ohms@11.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN MLP P-Channel 30V 11.5A 8-MLP(3.3x3.3)	暂无价格	3,036	对比
PXP6R7-30QLJ	Nexperia		通用MOSFET	-55°C~150°C(TJ) P 通道 SOT8002	暂无价格	0	对比
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TPCC8105,L1Q(CM	Toshiba		功率MOSFET	P-Channel 700mW(Ta),30W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3) 150°C 30 V 23A(Ta)	暂无价格	0	对比
FDMC6679AZ	ON Semiconductor	数据手册	通用MOSFET	11.5A(Ta),20A(Tc) ±25V 2.3W(Ta),41W(Tc) 10m Ohms@11.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN MLP P-Channel 30V 11.5A 8-MLP(3.3x3.3)	暂无价格	0	对比