SI7625DN-T1-GE3 与 FDMC6679AZ 区别
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规格信息
型号	SI7625DN-T1-GE3	FDMC6679AZ
唯样编号	A3t-SI7625DN-T1-GE3	A3-FDMC6679AZ
制造商	Vishay	ON Semiconductor
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	通用MOSFET	通用MOSFET
描述	P-Channel 30 V 7 mO 5126 nC Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-1212-8	Single P-Channel 30 V 18 mOhm 91 nC 2.3 W PowerTrench SMT Mosfet - MLP 3.3x3.3
数据表	SI7625DN-T1-GE3.pdf	FDMC6679AZ.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	7 mOhms @ 15A,10V	10m Ohms@11.5A,10V
漏源极电压Vds	30V	30V
Pd-功率耗散(Max)	3.7W(Ta),52W(Tc)	2.3W(Ta),41W(Tc)
Vgs(th)	2.5V @ 250uA	-
栅极电压Vgs	-	±25V
FET类型	P-Channel	P-Channel
封装/外壳	PowerPAK® 1212-8	8-MLP(3.3x3.3)
连续漏极电流Id	35A(Tc)	11.5A
工作温度	-55°C~150°C	-55°C~150°C(TJ)
系列	-	PowerTrench®
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	-	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	3970pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	91nC @ 10V
Vgs(最大值)	±20V	-
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	-	4.5V,10V
库存与单价
库存	0	3,036
工厂交货期	56 - 70天	3 - 15天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
SI7625DN-T1-GE3	Vishay	数据手册	通用MOSFET	35A(Tc) P-Channel 7 mOhms @ 15A,10V 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 30V	暂无价格	0	当前型号
FDMC6679AZ	ON Semiconductor	数据手册	通用MOSFET	11.5A(Ta),20A(Tc) ±25V 2.3W(Ta),41W(Tc) 10m Ohms@11.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN MLP P-Channel 30V 11.5A 8-MLP(3.3x3.3)	暂无价格	3,036	对比
PXP6R7-30QLJ	Nexperia		通用MOSFET	-55°C~150°C(TJ) P 通道 SOT8002	暂无价格	0	对比
PXP6R7-30QLJ	Nexperia		通用MOSFET	-55°C~150°C(TJ) P 通道 SOT8002	暂无价格	0	对比
TPCC8105,L1Q(CM	Toshiba		功率MOSFET	P-Channel 700mW(Ta),30W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3) 150°C 30 V 23A(Ta)	暂无价格	0	对比
FDMC6679AZ	ON Semiconductor	数据手册	通用MOSFET	11.5A(Ta),20A(Tc) ±25V 2.3W(Ta),41W(Tc) 10m Ohms@11.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN MLP P-Channel 30V 11.5A 8-MLP(3.3x3.3)	暂无价格	0	对比