SI7619DN-T1-GE3 与 FDMC6679AZ 区别
| 型号 | SI7619DN-T1-GE3 | FDMC6679AZ |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SI7619DN-T1-GE3 | A-FDMC6679AZ |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Si7619DN Series P-Channel 30 V 0.021 Ohms SMT Power Mosfet - PowerPAK 1212-8 | Single P-Channel 30 V 18 mOhm 91 nC 2.3 W PowerTrench SMT Mosfet - MLP 3.3x3.3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 21 mOhms @ 10.5A,10V | 10m Ohms@11.5A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.5W(Ta),27.8W(Tc) | 2.3W(Ta),41W(Tc) |
| Vgs(th) | 3V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±25V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 | 8-MLP(3.3x3.3) |
| 连续漏极电流Id | 24A(Tc) | 11.5A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3970pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 91nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI7619DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
24A(Tc) P-Channel 21 mOhms @ 10.5A,10V 3.5W(Ta),27.8W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
FDMC6679AZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
11.5A(Ta),20A(Tc) ±25V 2.3W(Ta),41W(Tc) 10m Ohms@11.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN MLP P-Channel 30V 11.5A 8-MLP(3.3x3.3) |
暂无价格 | 3,036 | 对比 |
|
|
FDMC6679AZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
11.5A(Ta),20A(Tc) ±25V 2.3W(Ta),41W(Tc) 10m Ohms@11.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN MLP P-Channel 30V 11.5A 8-MLP(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
