SI6562CDQ-T1-GE3 与 FDW2520C 区别
| 型号 | SI6562CDQ-T1-GE3 | FDW2520C |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SI6562CDQ-T1-GE3 | A3t-FDW2520C |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 未分类 |
| 描述 | Si6562CDQ Series 20 V 0.022 Ohm SMT Dual N & P Channel MOSFET - TSSOP-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 3/5W |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 18mΩ,24mΩ | 18 毫欧 @ 6A,4.5V |
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.6W,1.7W | - |
| FET类型 | N+P-Channel | 逻辑电平门 |
| 封装/外壳 | TSSOP-8 | 8-TSSOP |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 5.7A | 6A,4.4A |
| 系列 | TrenchFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 850pF @ 10V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 23nC @ 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1325pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 20nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI6562CDQ-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.6W,1.7W -55°C~150°C(TJ) TSSOP-8 N+P-Channel 20V 5.7A 18mΩ,24mΩ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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FDW2520C | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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