SI5515CDC-T1-GE3 与 NTHC5513T1G 区别
| 型号 | SI5515CDC-T1-GE3 | NTHC5513T1G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SI5515CDC-T1-GE3 | A3t-NTHC5513T1G |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 未分类 |
| 描述 | Si5515CDC Series 20 V 36 mOhm 3.1 W Surface Mount N & P-Channel Mosfet | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 3.1W | - |
| 功率 | - | 1.1W |
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V |
| Vgs(th) | 800mV @ 250uA | - |
| FET类型 | N+P-Channel | N+P-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 | Chip |
| 连续漏极电流Id | 4A | 2.9A/2.2A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 180pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 4nC @ 4.5V |
| 导通电阻Rds(On) | 36 mOhms @ 6A,4.5V | 80 毫欧 @ 2.9A,4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI5515CDC-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
4A N+P-Channel 36 mOhms @ 6A,4.5V 3.1W 8-SMD,扁平引线 -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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NTHD3100CT1G | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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NTHC5513T1G | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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