SI4946BEY-T1-GE3 与 SH8K32TB1 区别
| 型号 | SI4946BEY-T1-GE3 | SH8K32TB1 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SI4946BEY-T1-GE3 | A3-SH8K32TB1 |
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Si4946BEY Series Dual N-Channel 60 V 41 mOhms Surface Mount Power Mosfet-SOIC-8 | MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 41mΩ | 65mΩ@4.5A,10V |
| 上升时间 | 12ns | - |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.7W | 2W |
| Qg-栅极电荷 | 17nC | - |
| 栅极电压Vgs | 1V | ±20V |
| 典型关闭延迟时间 | 25ns | - |
| 正向跨导 - 最小值 | 24S | - |
| FET类型 | - | 2N-Channel |
| 封装/外壳 | SOIC-8 | 8-SOIC |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | 150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 6.5A | 4.5A |
| 系列 | SI4 | - |
| 通道数量 | 2Channel | - |
| 配置 | Dual | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 840pF @ 30V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25nC @ 10V | - |
| 栅极电荷Qg | - | 10nC@5V |
| 下降时间 | 10ns | - |
| 典型接通延迟时间 | 10ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 2,200 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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SI4946BEY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) SOIC-8 6.5A 3.7W 41mΩ 60V 1V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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SH8K32TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A 2N-Channel 65mΩ@4.5A,10V ±20V 2W 8-SOIC 150°C(TJ) 60V |
￥12.4668
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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SH8K32TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A 2N-Channel 65mΩ@4.5A,10V ±20V 2W 8-SOIC 150°C(TJ) 60V |
￥13.8916
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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SH8K32TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A 2N-Channel 65mΩ@4.5A,10V ±20V 2W 8-SOIC 150°C(TJ) 60V |
暂无价格 | 2,200 | 对比 | ||||||||||||||||
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SH8K32TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A 2N-Channel 65mΩ@4.5A,10V ±20V 2W 8-SOIC 150°C(TJ) 60V |
￥12.4668
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988 | 对比 | ||||||||||||||||
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HUFA76413DK8T_F085 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
2N-Channel 49m Ohms@5.1A,10V 2.5W -55°C~150°C(TJ) 8-SO SOIC N-Channel 60V 5.1A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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