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SI4936CDY-T1-GE3  与  MMDF3N03HDR2  区别

型号 SI4936CDY-T1-GE3 MMDF3N03HDR2
唯样编号 A3t-SI4936CDY-T1-GE3 A3t-MMDF3N03HDR2
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 未分类
描述 Dual N-Channel 30 V 0.04 Ohm 2.3 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 8-SOIC -
连续漏极电流Id 5.8A -
工作温度 -55°C~150°C -
Rds On(Max)@Id,Vgs 40 mOhms @ 5A,10V -
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2.3W -
Vgs(th) 3V @ 250uA -
FET类型 2N-Channel -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4936CDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

5.8A 2N-Channel 40 mOhms @ 5A,10V 2.3W 8-SOIC -55°C~150°C 30V

暂无价格 0 当前型号
IRF7303TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 50mΩ@2.4A,10V 2W N-Channel 30V 4.9A 8-SO

暂无价格 4,000 对比
MMDF3N03HDR2 ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 对比
FDS6961A ON Semiconductor 通用MOSFET

90m Ohms@3.5A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 2N-Channel 逻辑电平门 30V 3.5A 90 毫欧 @ 3.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8-SO

暂无价格 0 对比
SI9936DY ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 对比
PHN210T,118 Nexperia 功率MOSFET

暂无价格 0 对比

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