SI4936CDY-T1-GE3 与 FDS6961A 区别
| 型号 | SI4936CDY-T1-GE3 | FDS6961A |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SI4936CDY-T1-GE3 | A3t-FDS6961A |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Dual N-Channel 30 V 0.04 Ohm 2.3 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | Dual N-Channel 30 V 90 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet - SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 9/10W |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 40 mOhms @ 5A,10V | 90 毫欧 @ 3.5A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.3W | 900mW |
| Vgs(th) | 3V @ 250uA | - |
| FET类型 | 2N-Channel | 逻辑电平门 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SO |
| 连续漏极电流Id | 5.8A | 3.5A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 220pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 4nC @ 5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 220pF @ 15V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 4nC @ 5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4936CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.8A 2N-Channel 40 mOhms @ 5A,10V 2.3W 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRF7303TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 50mΩ@2.4A,10V 2W N-Channel 30V 4.9A 8-SO |
暂无价格 | 4,000 | 对比 |
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MMDF3N03HDR2 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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FDS6961A | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
90m Ohms@3.5A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 2N-Channel 逻辑电平门 30V 3.5A 90 毫欧 @ 3.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
|
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SI9936DY | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
|
PHN210T,118 | Nexperia | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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