SI4850EY-T1-E3 与 RS6L090BGTB1 区别
| 型号 | SI4850EY-T1-E3 | RS6L090BGTB1 | ||||||||
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| 唯样编号 | A3t-SI4850EY-T1-E3 | A32-RS6L090BGTB1-1 | ||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | Single N-Channel 60 V 0.022 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | Nch 60V 90A, HSOP8, Power MOSFET | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | HSOP8 (Single) | ||||||||
| 功率耗散Pd | 1.7W(Ta) | 73W | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 6A(Ta) | 90A | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~150°C | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 22 mOhms @ 6A,10V | 4.7mΩ@90A,10V | ||||||||
| Vgs(th) | 3V @ 250uA | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 2,500 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 7 - 14天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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SI4850EY-T1-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6A(Ta) N-Channel 22 mOhms @ 6A,10V 1.7W(Ta) 8-SOIC -55°C~175°C 60V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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FDS5682 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6L120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A |
￥13.8244
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2,600 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6L090BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A |
￥10.6461
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6L090BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A |
￥9.6201
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6L120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A |
￥15.5714
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514 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
