SI4559ADY-T1-GE3 与 DMC6040SSD-13 区别
| 型号 | SI4559ADY-T1-GE3 | DMC6040SSD-13 | ||||||
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| 唯样编号 | A3t-SI4559ADY-T1-GE3 | A36-DMC6040SSD-13 | ||||||
| 制造商 | Vishay | Diodes Incorporated | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET | MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SO | ||||||
| 功率耗散Pd | 3.1W,3.4W | - | ||||||
| 连续漏极电流Id | 5.3A,3.9A | 5.1A,3.1A | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 40mΩ@8A,10V | ||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 1130pF @ 15V | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | 58 mOhms @ 4.3A,10V | - | ||||||
| Vgs(th) | 3V @ 250uA | - | ||||||
| FET类型 | N+P-Channel | N+P-Channel | ||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 20.8nC @ 10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 2,279 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SI4559ADY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.3A,3.9A N+P-Channel 58 mOhms @ 4.3A,10V 3.1W,3.4W 8-SOIC -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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DMC6040SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N+P-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 60V 5.1A,3.1A |
暂无价格 | 7,500 | 对比 | ||||||||||||
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AO4612 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 60V 20V 4.5A 2W 56mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C |
￥3.024
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6,138 | 对比 | ||||||||||||
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DMC6040SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N+P-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 60V 5.1A,3.1A |
￥2.436
|
2,279 | 对比 | ||||||||||||
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AO4612 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 60V 20V 4.5A 2W 56mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 7 | 对比 | ||||||||||||
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DMC6040SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N+P-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 60V 5.1A,3.1A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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