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SI4559ADY-T1-GE3  与  AO4612  区别

型号 SI4559ADY-T1-GE3 AO4612
唯样编号 A3t-SI4559ADY-T1-GE3 A-AO4612
制造商 Vishay AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 8-SOIC SO-8
连续漏极电流Id 5.3A,3.9A 4.5A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs 58 mOhms @ 4.3A,10V 56mΩ@4.5A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W,3.4W 2W
Vgs(th) 3V @ 250uA -
栅极电压Vgs - 20V
FET类型 N+P-Channel N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
3,000+ :  ¥2.8012
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4559ADY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

5.3A,3.9A N+P-Channel 58 mOhms @ 4.3A,10V 3.1W,3.4W 8-SOIC -55°C~150°C 60V

暂无价格 0 当前型号
DMC6040SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N+P-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 60V 5.1A,3.1A

暂无价格 0 对比
DMC6040SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N+P-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 60V 5.1A,3.1A

暂无价格 0 对比
AO4612 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 60V 20V 4.5A 2W 56mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C

¥2.8012 

阶梯数 价格
3,000: ¥2.8012
0 对比
FDS4559 ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SO-8

暂无价格 2,500 对比
FDS4559(TAPEREEL) ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 对比

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