SI4554DY-T1-GE3 与 FDS4897AC 区别
| 型号 | SI4554DY-T1-GE3 | FDS4897AC |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SI4554DY-T1-GE3 | A3t-FDS4897AC |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Dual N & P-Channel 40 V 26 mOhm PowerTrench® Mosfet - SOIC-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 9/10W |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 24 mOhms @ 6.8A,10V | 26 毫欧 @ 6.1A,10V |
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.1W,3.2W | 900mW |
| Vgs(th) | 2.2V @ 250uA | - |
| FET类型 | N+P-Channel | 逻辑电平门 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SO |
| 连续漏极电流Id | 8A | 6.1A,5.2A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1055pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 21nC @ 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1055pF @ 20V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 21nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4554DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8A N+P-Channel 24 mOhms @ 6.8A,10V 3.1W,3.2W 8-SOIC -55°C~150°C 40V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
FDS4897AC | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
26m Ohms@6.1A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC 6.1A/5.2A N+P-Channel 逻辑电平门 40V 6.1A,5.2A 26 毫欧 @ 6.1A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
