SI4435DY 与 IRF7416PBF 区别
| 型号 | SI4435DY | IRF7416PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SI4435DY | A-IRF7416PBF |
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | P-Channel 30 V 20 mOhm 17 nC Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 3.9mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 0.035 0hms | 20mΩ@5.6A,10V |
| 引脚数目 | 8 | - |
| 最小栅阈值电压 | 1V | - |
| 栅极电压Vgs | -20 V、+20 V | ±20V |
| 封装/外壳 | 4.9*3.9*1.57mm | 8-SO |
| 连续漏极电流Id | 8.8 A | 10A |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 长度 | 4.9mm | - |
| 最低工作温度 | -55 °C | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 正向二极管电压 | 1.2V | - |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | - |
| 最高工作温度 | +175 °C | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1700pF @ 25V |
| 高度 | 1.57mm | - |
| 类别 | 功率 MOSFET | - |
| 典型关断延迟时间 | 42 ns | - |
| 漏源极电压Vds | 1604 pF @ -15 V | 30V |
| 晶体管材料 | Si | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W | 2.5W(Ta) |
| 晶体管配置 | 单 | - |
| FET类型 | 增强 | P-Channel |
| 系列 | PowerTrench | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1604pF @ 15V | 1700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 24nC @ 5V | 92nC @ 10V |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 92nC @ 10V |
| 正向跨导 | 24S | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4435DY | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
30V 8.8A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 20m Ohms@8.8A,10V -55°C~175°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) P-Channel 8.8 A 30 V 0.035 0hms -20 V、+20 V SOIC 增强 2.5W 4.9*3.9*1.57mm 1604 pF @ -15 V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||||
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IRF7416TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
20mΩ@5.6A,10V P-Channel 30V 10A 8-SO |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||||||||
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AOSP21321 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V ±25V -11A 3.1W 17mΩ@11A,10V -55°C~150°C |
￥1.5385
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2,667 | 对比 | ||||||||||||
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AO4419 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V |
￥1.2352
|
0 | 对比 | ||||||||||||
|
IRF9392TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 9.8A 17.5mΩ 2.5W |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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IRF7416PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 20mΩ@5.6A,10V P-Channel 30V 10A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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