SI4434DY-T1-GE3 与 FDS2734 区别
| 型号 | SI4434DY-T1-GE3 | FDS2734 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SI4434DY-T1-GE3 | A3t-FDS2734 |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | N-Channel 250 V 155 mO 1.56 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | N-Channel 250 V 117 mOhm UItraFET Trench® Mosfet - SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 2.5W(Ta) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 155 mOhms @ 3A,10V | 117 毫欧 @ 3A,10V |
| 漏源极电压Vds | 250V | 250V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.56W(Ta) | 2.5W(Ta) |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 连续漏极电流Id | 2.1A(Ta) | 3A(Ta) |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2610pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 45nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 6V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2610pF @ 100V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 45nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI4434DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
2.1A(Ta) N-Channel 155 mOhms @ 3A,10V 1.56W(Ta) 8-SOIC -55°C~150°C 250V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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FDS2734 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
2.5W(Ta) 117m Ohms@3A,10V -55°C~150°C(TJ) SOIC 3A N-Channel 250V 3A(Ta) ±20V 117 毫欧 @ 3A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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