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SI4425DY  与  SI4425DDY-T1-GE3  区别

型号 SI4425DY SI4425DDY-T1-GE3
唯样编号 A3t-SI4425DY A3t-SI4425DDY-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 通用MOSFET
描述 SI4425DDY Series 30 V 9.8 mOhm 80 nC P-Channel Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - 8-SOIC
连续漏极电流Id - 19.7A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 9.8 mOhms @ 13A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W(Ta),5.7W(Tc)
Vgs(最大值) - ±20V
Vgs(th) - 2.5V @ 250uA
FET类型 - P-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4425DY ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 当前型号
SI4425DDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

19.7A(Tc) P-Channel 9.8 mOhms @ 13A,10V 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V

¥1.2234 

阶梯数 价格
2,500: ¥1.2234
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SI4425DDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

19.7A(Tc) P-Channel 9.8 mOhms @ 13A,10V 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V

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