SI4172DY-T1-GE3 与 RXH100N03TB1 区别
| 型号 | SI4172DY-T1-GE3 | RXH100N03TB1 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SI4172DY-T1-GE3 | A33-RXH100N03TB1 |
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 30 V 0.012 Ohm 4.5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | - |
| 连续漏极电流Id | 15A(Tc) | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 12 mOhms @ 11A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),4.5W(Tc) | - |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| Vgs(th) | 2.5V @ 250uA | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 9 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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SI4172DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
15A(Tc) N-Channel 12 mOhms @ 11A,10V 2.5W(Ta),4.5W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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FDS6690A | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12.5mΩ@11A,10V ±20V SO-8 -55°C~150°C 11A 30V 2.5W N-Channel |
暂无价格 | 10,000 | 对比 | ||||||||
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FDS6690A | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12.5mΩ@11A,10V ±20V SO-8 -55°C~150°C 11A 30V 2.5W N-Channel |
￥2.618
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2,390 | 对比 | ||||||||
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RXH100N03TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET | 暂无价格 | 9 | 对比 | |||||||||
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FDS6690A | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12.5mΩ@11A,10V ±20V SO-8 -55°C~150°C 11A 30V 2.5W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IRF7455TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 7.5mΩ@15A,10V N-Channel 30V 15A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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