SI4172DY-T1-GE3 与 RXH100N03TB1 区别
| 型号 | SI4172DY-T1-GE3 | RXH100N03TB1 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A3t-SI4172DY-T1-GE3 | A33-RXH100N03TB1-1 | ||||||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | Single N-Channel 30 V 0.012 Ohm 4.5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | - | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 15A(Tc) | - | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 12 mOhms @ 11A,10V | - | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | - | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),4.5W(Tc) | - | ||||||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||||||||
| Vgs(th) | 2.5V @ 250uA | - | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 0 | 2,500 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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SI4172DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
15A(Tc) N-Channel 12 mOhms @ 11A,10V 2.5W(Ta),4.5W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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FDS6690A | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12.5mΩ@11A,10V ±20V SO-8 -55°C~150°C 11A 30V 2.5W N-Channel |
暂无价格 | 5,000 | 对比 | ||||||||||||||
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RXH100N03TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
￥5.8166
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2,500 | 对比 | |||||||||||||||
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FDS6690A | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12.5mΩ@11A,10V ±20V SO-8 -55°C~150°C 11A 30V 2.5W N-Channel |
￥2.618
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2,268 | 对比 | ||||||||||||||
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RXH100N03TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET | 暂无价格 | 9 | 对比 | |||||||||||||||
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FDS6690A | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12.5mΩ@11A,10V ±20V SO-8 -55°C~150°C 11A 30V 2.5W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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