SI4164DY-T1-GE3 与 IRF8736TRPBF 区别
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规格信息
型号	SI4164DY-T1-GE3	IRF8736TRPBF
唯样编号	A3t-SI4164DY-T1-GE3	A-IRF8736TRPBF
制造商	Vishay	Infineon Technologies
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	功率MOSFET
描述	MOSFET	N-Channel 30 V 4.8 mOhm Surface Mount HEXFET Power Mosfet - SOIC-8
数据表	SI4164DY-T1-GE3.pdf si4164dy-244509.pdf	IRF8736TRPBF.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	3.2mΩ@15A,10V	4.8mΩ@18A,10V
漏源极电压Vds	30V	30V
Pd-功率耗散(Max)	3W(Ta),6W(Tc)	2.5W(Ta)
栅极电压Vgs	±20V	±20V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	SOIC-8	8-SO
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id	30A(Tc)	18A
系列	SI	HEXFET®
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA	2.35V @ 50µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	3545pF @ 15V	2315pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	95nC @ 10V	26nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA	2.35V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	3545pF @ 15V	2315pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	95nC @ 10V	26nC @ 4.5V
库存与单价
库存	0	4,000
工厂交货期	56 - 70天	3 - 5天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
购买数量	点击询价	点击询价

推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
SI4164DY-T1-GE3	Vishay	数据手册	功率MOSFET	±20V 3W(Ta),6W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 30V 30A(Tc) 3.2mΩ@15A,10V	暂无价格	0	当前型号
IRF8736TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 4.8mΩ@18A,10V N-Channel 30V 18A 8-SO	暂无价格	4,000	对比
FDS6699S	ON Semiconductor		通用MOSFET	2.5W(Ta) 3.6m Ohms@21A,10V -55°C~150°C(TJ) SOIC 21A N-Channel 30V 21A(Ta) ±20V 3.6 毫欧 @ 21A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)	暂无价格	0	对比
IRF7834TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 4.5mΩ@19A,10V N-Channel 30V 19A 8-SO	暂无价格	0	对比
IRF7831TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 3.6mΩ@20A,10V N-Channel 30V 21A 8-SO	暂无价格	0	对比
IRF7832TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta) -55°C~155°C(TJ) 4mΩ@20A,10V N-Channel 30V 20A 8-SO	暂无价格	0	对比