SI4122DY-T1-GE3 与 FDS8842NZ 区别
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规格信息
型号	SI4122DY-T1-GE3	FDS8842NZ
唯样编号	A3t-SI4122DY-T1-GE3	A-FDS8842NZ
制造商	Vishay	ON Semiconductor
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	通用MOSFET	通用MOSFET
描述	Si4122DY Series Single N-Channel 40 V 4.5 mOhm 6 W SMT Power Mosfet - SOIC-8	N-Channel 40 V 7 Ohm Surface Mount PowerTrench® Mosfet - SOIC-8
数据表	SI4122DY-T1-GE3.pdf	FDS8842NZ.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	4.5 mOhms @ 15A,10V	7m Ohms@14.9A,10V
漏源极电压Vds	40V	40V
Pd-功率耗散(Max)	3W(Ta),6W(Tc)	2.5W(Ta)
Vgs(th)	2.5V @ 250uA	-
栅极电压Vgs	-	±20V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	8-SOIC	8-SOIC
连续漏极电流Id	27.2A(Tc)	14.9A
工作温度	-55°C~150°C	-55°C~150°C(TJ)
系列	-	PowerTrench®
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	-	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	3845pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	73nC @ 10V
Vgs(最大值)	±25V	-
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	-	4.5V,10V
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	操作
SI4122DY-T1-GE3	Vishay	数据手册	通用MOSFET	27.2A(Tc) N-Channel 4.5 mOhms @ 15A,10V 3W(Ta),6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 40V	暂无价格	当前型号
IRF7842TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	N-Channel 40V 18A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 5mΩ@17A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SO	暂无价格	对比
FDS8842NZ	ON Semiconductor	数据手册	通用MOSFET	14.9A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 7m Ohms@14.9A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 40V 14.9A 8-SOIC	暂无价格	对比
FDS8842NZ	ON Semiconductor	数据手册	通用MOSFET	14.9A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 7m Ohms@14.9A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 40V 14.9A 8-SOIC	暂无价格	对比
FDS8638	ON Semiconductor	数据手册	通用MOSFET	18A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 4.3m Ohms@18A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 40V 18A 8-SOIC	暂无价格	对比
FDS8638	ON Semiconductor	数据手册	通用MOSFET	18A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 4.3m Ohms@18A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 40V 18A 8-SOIC	暂无价格	对比