SI3932DV-T1-GE3 与 NTJD4001NT1G 区别
| 型号 | SI3932DV-T1-GE3 | NTJD4001NT1G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SI3932DV-T1-GE3 | A36-NTJD4001NT1G |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | Si3932DV Series Dual N-Channel 30 V 58 mOhm 1.4 W SMT Power Mosfet - TSOP-6 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | TSOP-6 | SOT-363 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 3.7A | - |
| 系列 | TrenchFET® | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 47mΩ | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.2V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 235pF @ 15V | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.4W | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 6nC @ 10V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 3 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI3932DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.4W -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 30V 3.7A 47mΩ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
|
QS6K1TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A |
￥0.8679
|
6,000 | 对比 | ||||||||||||
|
|
QS6K1TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A |
￥4.6927
|
4,458 | 对比 | ||||||||||||
|
|
QS6K1TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A |
￥2.6544
|
1,297 | 对比 | ||||||||||||
|
|
QS6K1TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A |
暂无价格 | 160 | 对比 | ||||||||||||
|
NTJD4001NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-363 |
暂无价格 | 3 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
