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SI3457CDV-T1-GE3  与  CPH6341-TL-E  区别

型号 SI3457CDV-T1-GE3 CPH6341-TL-E
唯样编号 A3t-SI3457CDV-T1-GE3 A3t-CPH6341-TL-E
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 未分类
描述 Single P-Channel 30 V 74 mOhm Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 1.6W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 74mΩ 59 毫欧 @ 3A,10V
漏源极电压Vds 3V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta),3W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TSOP-6 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
连续漏极电流Id 5.1A 5A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4V,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 430pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI3457CDV-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 5.1A(Tc) ±20V 2W(Ta),3W(Tc) 74mΩ@4.1A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 30V 5.1A 74mΩ 3V

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