SI3440DV-T1-GE3 与 FDC2512 区别
| 型号 | SI3440DV-T1-GE3 | FDC2512 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SI3440DV-T1-GE3 | A3t-FDC2512 |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 150 V 0.375 O 8 nC Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6 | N-Channel 150 V 425 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SSOT-6 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 375mΩ | - |
| 漏源极电压Vds | 150V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.14W(Ta) | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | TSOP-6 | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 1.5A | - |
| 系列 | TrenchFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SI3440DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.14W(Ta) -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 150V 1.5A 375mΩ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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IRF5802TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 1.2Ω@540mA,10V N-Channel 150V 0.9A Micro6™(TSOP-6) |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||
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FDC86244 | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
1.6W(Ta) 144m Ohms@2.3A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 SuperSOT 2.3A N-Channel 150V 2.3A(Ta) ±20V 144 毫欧 @ 2.3A,10V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT™-6 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
￥1.969
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2,313 | 对比 | |||||||||||
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FDC2512 | ON Semiconductor | 通用MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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FDC2512NL | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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FDC86244 | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
1.6W(Ta) 144m Ohms@2.3A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 SuperSOT 2.3A N-Channel 150V 2.3A(Ta) ±20V 144 毫欧 @ 2.3A,10V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT™-6 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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