SI3440DV-T1-E3 与 IRF5802TRPBF 区别
| 型号 | SI3440DV-T1-E3 | IRF5802TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SI3440DV-T1-E3 | A-IRF5802TRPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 150 V 0.375 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 375 mOhms @ 1.5A,10V | 1.2Ω@540mA,10V |
| 漏源极电压Vds | 150V | 150V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.14W(Ta) | 2W(Ta) |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±30V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TSOT-23-6 | Micro6™(TSOP-6) |
| 连续漏极电流Id | 1.2A(Ta) | 0.9A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 88pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 6.8nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 88pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 6.8nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 3,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI3440DV-T1-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
1.2A(Ta) N-Channel 375 mOhms @ 1.5A,10V 1.14W(Ta) TSOT-23-6 -55°C~150°C 150V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRF5802TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 1.2Ω@540mA,10V N-Channel 150V 0.9A Micro6™(TSOP-6) |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
|
FDC633N | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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