SI3127DV-T1-GE3 与 FDC5614P 区别
| 型号 | SI3127DV-T1-GE3 | FDC5614P | ||||||||
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| 唯样编号 | A3t-SI3127DV-T1-GE3 | A36-FDC5614P | ||||||||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | MOSFET | ||||||||
| 描述 | P-Channel 60 V 105 mohm Logic Level PowerTrench Mosfet - SSOT-6 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | TSOT-23-6 | SuperSOT-6 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 13A | - | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 89mΩ@1.5A,4.5V | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | - | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||
| FET类型 | P-Channel | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 2,944 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SI3127DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
TSOT-23-6 P-Channel 2W 89mΩ@1.5A,4.5V -55°C~150°C ±20V 60V 13A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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FDC5614P | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SuperSOT-6 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||
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FDC5614P | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SuperSOT-6 |
￥1.551
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2,944 | 对比 | ||||||||||
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FDC5614P_NL | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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IRF5803TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 112mΩ@3.4A,10V P-Channel 40V 3.4A Micro6™(TSOP-6) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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FDC5614P | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SuperSOT-6 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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