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SI2367DS-T1-GE3  与  NX2301P215  区别

型号 SI2367DS-T1-GE3 NX2301P215
唯样编号 A3t-SI2367DS-T1-GE3 A3t-NX2301P215
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 未分类
描述 Si2367DS Series P-Channel 20 V 66 mOhm 0.96 W Surface Mount Mosfet - TO-236
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT-23-3 -
连续漏极电流Id 3.8A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C -
Rds On(Max)@Id,Vgs 66 mOhms @ 2.5A,4.5V -
漏源极电压Vds 20V -
Pd-功率耗散(Max) 960mW(Ta),1.7W(Tc) -
Vgs(最大值) ±8V -
Vgs(th) 1V @ 250uA -
FET类型 P-Channel -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2367DS-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

3.8A(Tc) P-Channel 66 mOhms @ 2.5A,4.5V 960mW(Ta),1.7W(Tc) SOT-23-3 -55°C~150°C 20V

暂无价格 0 当前型号
PMV48XP,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT23 P-Channel 0.51W 150°C 12V -20V -3.5A

暂无价格 3,000 对比
PMV48XP,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT23 P-Channel 0.51W 150°C 12V -20V -3.5A

¥1.463 

阶梯数 价格
40: ¥1.463
100: ¥1.166
603 对比
IRLML6402TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.3W 65mΩ@3.7A,4.5V -55°C~150°C P-Channel 3.7A 20V SOT-23

暂无价格 440 对比
PMV65XP,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 P-Channel 0.48W -55°C~150°C ±12V -20V -2.8A

暂无价格 378 对比
NX2301P215 Nexperia 未分类

暂无价格 0 对比

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