SI2367DS-T1-GE3 与 IRLML6402TRPBF 区别
| 型号 | SI2367DS-T1-GE3 | IRLML6402TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SI2367DS-T1-GE3 | A-IRLML6402TRPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Si2367DS Series P-Channel 20 V 66 mOhm 0.96 W Surface Mount Mosfet - TO-236 | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 66 mOhms @ 2.5A,4.5V | 65mΩ@3.7A,4.5V |
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 960mW(Ta),1.7W(Tc) | 1.3W |
| Vgs(th) | 1V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±12V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23 |
| 连续漏极电流Id | 3.8A(Tc) | 3.7A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 633pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 12nC @ 5V |
| Vgs(最大值) | ±8V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.5V,4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 440 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI2367DS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
3.8A(Tc) P-Channel 66 mOhms @ 2.5A,4.5V 960mW(Ta),1.7W(Tc) SOT-23-3 -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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PMV48XP,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 P-Channel 0.51W 150°C 12V -20V -3.5A |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||
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PMV48XP,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 P-Channel 0.51W 150°C 12V -20V -3.5A |
￥1.463
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603 | 对比 | ||||||
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IRLML6402TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.3W 65mΩ@3.7A,4.5V -55°C~150°C P-Channel 3.7A 20V SOT-23 |
暂无价格 | 440 | 对比 | ||||||
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PMV65XP,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 P-Channel 0.48W -55°C~150°C ±12V -20V -2.8A |
暂无价格 | 378 | 对比 | ||||||
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NX2301P215 | Nexperia | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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