SI2338DS-T1-GE3 与 FDN537N 区别
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规格信息
型号	SI2338DS-T1-GE3	FDN537N
唯样编号	A3t-SI2338DS-T1-GE3	A3-FDN537N
制造商	Vishay	ON Semiconductor
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	通用MOSFET	通用MOSFET
描述	N-Channel 30 V 28 mOhm 13 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3	MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3
数据表	SI2338DS-T1-GE3.pdf	FDN537N.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
功率	-	1.5W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	23mΩ	23 毫欧 @ 6.5A,10V
漏源极电压Vds	30V	30V
Pd-功率耗散(Max)	1.3W(Ta),2.5W(Tc)	-
栅极电压Vgs	±20V	±20V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	SOT-23-3	SOT-23-3
连续漏极电流Id	6A	6.5A(Ta),6.5A(Tc)
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~150°C(TJ)
系列	TrenchFET®	-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA	-
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	424pF @ 15V	-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	13nC @ 10V	-
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V	4.5V,10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	465pF @ 15V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-	3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	8.4nC @ 10V
库存与单价
库存	0	3,000
工厂交货期	56 - 70天	3 - 15天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
SI2338DS-T1-GE3	Vishay	数据手册	通用MOSFET	6A(Tc) ±20V 1.3W(Ta),2.5W(Tc) 28m Ohms@5.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3 N-Channel 30V 6A 23mΩ	暂无价格	0	当前型号
IRLML6344TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 29mΩ@5A,4.5V N-Channel 30V 5A SOT-23	暂无价格	3,048	对比
FDN537N	ON Semiconductor	数据手册	通用MOSFET	±20V 23 毫欧 @ 6.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 N-Channel 30V 6.5A(Ta),6.5A(Tc) SOT-23-3	暂无价格	3,000	对比
IRLML0030TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 27mΩ@5.2A,10V N-Channel 30V 5.3A Micro3™/SOT-23	暂无价格	3,000	对比
PMV20EN	Nexperia		通用MOSFET	N-Channel	暂无价格	0	对比
FDN537N	ON Semiconductor	数据手册	通用MOSFET	±20V 23 毫欧 @ 6.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 N-Channel 30V 6.5A(Ta),6.5A(Tc) SOT-23-3	暂无价格	0	对比