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SI2309CDS-T1-E3  与  SSM3K2615R,LF  区别

型号 SI2309CDS-T1-E3 SSM3K2615R,LF
唯样编号 A3t-SI2309CDS-T1-E3 A3t-SSM3K2615R,LF
制造商 Vishay Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 P-Channel 60 V 0.345 Ohm 1.7 W Surface Mount Mosfet - SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 345 mOhms @ 1.25A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V 60 V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta),1.7W(Tc) 1W(Ta)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 300 毫欧 @ 1A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 150 pF @ 10 V
Vgs(th) 3V @ 250uA 2V @ 1mA
FET类型 P-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23F
连续漏极电流Id 1.6A(Tc) 2A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C 150°C(TJ)
Vgs(最大值) ±20V ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 3.3V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2309CDS-T1-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

1.6A(Tc) P-Channel 345 mOhms @ 1.25A,10V 1W(Ta),1.7W(Tc) SOT-23-3 -55°C~150°C 60V

暂无价格 0 当前型号
NTR5198NLT1G ON Semiconductor  数据手册 未分类

暂无价格 18 对比
SSM3K2615R,LF Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1W(Ta) SOT-23F 150°C(TJ) 60 V 2A(Ta)

暂无价格 0 对比
FDN5618PNL ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 对比
CPH3351-TL-W ON Semiconductor 通用MOSFET

暂无价格 0 对比

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