SI2308BDS-T1-GE3 与 IRLML2060TRPBF 区别
| 型号 | SI2308BDS-T1-GE3 | IRLML2060TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SI2308BDS-T1-GE3 | A-IRLML2060TRPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | Single N-Channel 60 V 1.25 W 0.67 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 零件号别名 | SI2308BDS-GE3 | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 156mΩ | 480mΩ@1.2A,10V |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.09W(Ta),1.66W(Tc) | 1.25W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±16V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | Micro3™/SOT-23 |
| 连续漏极电流Id | 1.9A | 1.2A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | SI | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | 2.5V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 190pF @ 30V | 64pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 6.8nC @ 10V | 0.67nC @ 4.5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 25µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 64pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | .67nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI2308BDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 2.3A(Tc) ±20V 1.09W(Ta),1.66W(Tc) 156m Ohms@1.9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 60V 1.9A 156mΩ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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FDN5630 | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
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CPH3422-TL-E | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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IRLML2060TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 1.25W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 480mΩ@1.2A,10V N-Channel 60V 1.2A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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FDN5630SOT-23 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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C1608X7R1V105M080AE | TDK Corporation | 数据手册 | 贴片MLCC |
0603 1uF ±20% 35V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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