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SI2302CDS-T1-E3  与  FDN371N  区别

型号 SI2302CDS-T1-E3 FDN371N
唯样编号 A3t-SI2302CDS-T1-E3 A3t-FDN371N
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 20 V 0.057 Ohm 0.71 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率 - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 57 mOhms @ 3.6A,4.5V 50 毫欧 @ 2.5A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 710mW(Ta) 500mW(Ta)
Vgs(th) 850mV @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
连续漏极电流Id 2.6A(Ta) 2.5A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 815pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10.7nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±8V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 815pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10.7nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2302CDS-T1-E3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

2.6A(Ta) N-Channel 57 mOhms @ 3.6A,4.5V 710mW(Ta) SOT-23-3 -55°C~150°C 20V

暂无价格 0 当前型号
FDN371N ON Semiconductor 通用MOSFET

500mW(Ta) 50m Ohms@2.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT 2.5A N-Channel 20V 2.5A(Ta) ±12V 50 毫欧 @ 2.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比

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