SI2301HDS-T1-GE3 与 PMV32UP 区别
| 型号 | SI2301HDS-T1-GE3 | PMV32UP |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SI2301HDS-T1-GE3 | A3t-PMV32UP |
| 制造商 | Vishay | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | SOT-23 | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C | - |
| 连续漏极电流Id | -3.1A | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 112mΩ@-2.8A,-4.5V | - |
| 漏源极电压Vds | -20V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.6W | - |
| 栅极电压Vgs | ±8V | - |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
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