SI1967DH-T1-E3 与 FDG6306PD87Z 区别
| 型号 | SI1967DH-T1-E3 | FDG6306PD87Z |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SI1967DH-T1-E3 | A3t-FDG6306PD87Z |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 未分类 |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 1.25W | - |
| 漏源极电压Vds | 20V | - |
| FET类型 | P-Channel | - |
| 封装/外壳 | SC-70-6 | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 1.3A | - |
| 系列 | SI | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 110pF @ 10V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 4nC @ 8V | - |
| 电压 | 20V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 490mΩ | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI1967DH-T1-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SC-70-6 P-Channel 20V 1.3A 490mΩ 1.25W |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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FDG6306PD87Z | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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