SI1902CDL-T1-GE3 与 PMGD290XN,115 区别
| 型号 | SI1902CDL-T1-GE3 | PMGD290XN,115 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SI1902CDL-T1-GE3 | A-PMGD290XN,115 |
| 制造商 | Vishay | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | Dual N-Channel 20 V 0.235 Ohm 0.42 W Surface Mount Mosfet - SC-70-6 | MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 235mΩ | 350mΩ@200mA,4.5V |
| 漏源极电压Vds | 1.5V | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 420mW | 410mW |
| 栅极电压Vgs | - | ±12V |
| FET类型 | P-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SC-70-6 | SOT363 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 1.1A | 0.86A |
| 系列 | TrenchFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 62pF @ 10V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 3nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SI1902CDL-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
420mW -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 P-Channel 1.1A 235mΩ 1.5V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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PMGD290XN,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT363 N-Channel 350mΩ@200mA,4.5V 410mW 0.86A ±12V 20V -55°C~150°C |
￥0.6387
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4,773 | 对比 | ||||||||||
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FDG6317NZ | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
￥0.8855
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753 | 对比 | ||||||||||||
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PMGD290XN | Nexperia | 通用MOSFET |
N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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FDG6317NZ | ON Semiconductor | 通用MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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PMGD290XN,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT363 N-Channel 350mΩ@200mA,4.5V 410mW 0.86A ±12V 20V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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