SI1539DDL-T1-GE3 与 FDG6320C 区别
| 型号 | SI1539DDL-T1-GE3 | FDG6320C |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SI1539DDL-T1-GE3 | A3t-FDG6320C |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Dual N & P Channel 25 V 4 Ohm Digital FET SC-70-6 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 3/10W |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 388 mOhms @ 600mA,10V,1.07 Ohms @ 400mA,10V | 4 欧姆 @ 220mA,4.5V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 25V |
| Pd-功率耗散(Max) | 340mW | 300mW |
| Vgs(th) | 2.5V @ 250uA,3V @ 250uA | - |
| FET类型 | N+P-Channel | 逻辑电平门 |
| 封装/外壳 | SOT-363 | SC-70-6 |
| 连续漏极电流Id | 700mA (Tc),460mA (Tc) | 220mA,140mA |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 9.5pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 0.4nC @ 4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 9.5pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 0.4nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI1539DDL-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
700mA (Tc),460mA (Tc) N+P-Channel 388 mOhms @ 600mA,10V,1.07 Ohms @ 400mA,10V 340mW SOT-363 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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FDG6320C | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
4 Ohms@220mA,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70 0.22A/0.14A N+P-Channel 逻辑电平门 25V 220mA,140mA 4 欧姆 @ 220mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SC-70-6 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
