SI1539CDL-T1-GE3 与 FDG8842CZ 区别
| 型号 | SI1539CDL-T1-GE3 | FDG8842CZ |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SI1539CDL-T1-GE3 | A3t-FDG8842CZ |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Si1539CDL Series 30 V 388 mOhm Surface Mount N and P-Channel MOSFET - SOT-363 | Dual N & P-Channel 400 mOhm Complementary PowerTrench MOSFET-SC-70-6 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 3/10W |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 323mΩ,740mΩ | 400 毫欧 @ 750mA,4.5V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V,25V |
| Pd-功率耗散(Max) | 340mW | 300mW |
| FET类型 | N+P-Channel | N+P-Channel |
| 封装/外壳 | SC-70-6 | SC-70-6 |
| 连续漏极电流Id | 700mA | 750mA,410mA |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | TrenchFET® | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 28pF @ 15V | 120pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 1.5nC @ 10V | 1.44nC @ 4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 120pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 1.44nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI1539CDL-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N+P-Channel 700mA,500mA 388mΩ@600mA,10V 340mW -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 30V 700mA 323mΩ,740mΩ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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FDG6321C | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
450m Ohms@500mA,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70 0.5A/0.41A N+P-Channel 逻辑电平门 25V 500mA,410mA 450 毫欧 @ 500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SC-70-6 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
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FDG8842CZ | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
30V,25V 750mA,410mA 400m Ohms@750mA,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70 N+P-Channel 400 毫欧 @ 750mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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