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SI1539CDL-T1-GE3  与  FDG6321C  区别

型号 SI1539CDL-T1-GE3 FDG6321C
唯样编号 A3t-SI1539CDL-T1-GE3 A3t-FDG6321C
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 Si1539CDL Series 30 V 388 mOhm Surface Mount N and P-Channel MOSFET - SOT-363 Dual N & P Channel 25 V 0.45 Ohm Digital FET SC70-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 3/10W
Rds On(Max)@Id,Vgs 323mΩ,740mΩ 450 毫欧 @ 500mA,4.5V
漏源极电压Vds 30V 25V
Pd-功率耗散(Max) 340mW 300mW
FET类型 N+P-Channel 逻辑电平门
封装/外壳 SC-70-6 SC-70-6
连续漏极电流Id 700mA 500mA,410mA
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 28pF @ 15V 50pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.5nC @ 10V 2.3nC @ 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 50pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.3nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI1539CDL-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

N+P-Channel 700mA,500mA 388mΩ@600mA,10V 340mW -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 30V 700mA 323mΩ,740mΩ

暂无价格 0 当前型号
FDG6321C ON Semiconductor 通用MOSFET

450m Ohms@500mA,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70 0.5A/0.41A N+P-Channel 逻辑电平门 25V 500mA,410mA 450 毫欧 @ 500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SC-70-6

暂无价格 0 对比
FDG8842CZ ON Semiconductor 通用MOSFET

30V,25V 750mA,410mA 400m Ohms@750mA,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70 N+P-Channel 400 毫欧 @ 750mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SC-70-6

暂无价格 0 对比

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