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SI1427EDH-T1-GE3  与  PMG85XP,115  区别

型号 SI1427EDH-T1-GE3 PMG85XP,115
唯样编号 A3t-SI1427EDH-T1-GE3 A-PMG85XP,115
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 SI1427EDH Series 20 V 64 mOhm 1.56 W Surface Mount P-Channel Mosfet - SOT-363 MOSFET P-CH 20V 2A 6TSSOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 64 mOhms @ 3A,4.5V -
漏源极电压Vds 20V -20V
Pd-功率耗散(Max) 1.56W(Ta),2.8W(Tc) 0.375W
Vgs(th) 1V @ 250uA -
输出电容 - 80pF
栅极电压Vgs - 12V,-0.9V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-363 SOT363
连续漏极电流Id 2A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C 150°C
输入电容 - 560pF
Vgs(最大值) ±8V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 115mΩ@4.5V,160mΩ@2.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI1427EDH-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

2A(Tc) P-Channel 64 mOhms @ 3A,4.5V 1.56W(Ta),2.8W(Tc) SOT-363 -55°C~150°C 20V

暂无价格 0 当前型号
PMG85XP,115 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT363 P-Channel 0.375W 150°C 12V,-0.9V -20V

暂无价格 0 对比
PMG85XP,115 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT363 P-Channel 0.375W 150°C 12V,-0.9V -20V

暂无价格 0 对比

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