SI1016CX-T1-GE3 与 SSM6L36FE,LM 区别
| 型号 | SI1016CX-T1-GE3 | SSM6L36FE,LM |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SI1016CX-T1-GE3 | A3t-SSM6L36FE,LM-1 |
| 制造商 | Vishay | Toshiba |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Si1016CX Series 20 V 396 mOhm Surface Mount N and P-Channel MOSFET - SC-89-6 | MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 150mW |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 396 mOhms @ 500mA,4.5V | - |
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 220mW | - |
| 产品状态 | - | 在售 |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 630 毫欧 @ 200mA,5V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 46pF @ 10V |
| Vgs(th) | 1V @ 250uA | 1V @ 1mA |
| FET类型 | N+P-Channel | N+P-Channel |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 1.23nC @ 4V |
| 封装/外壳 | SOT-563 | ES6 |
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 500mA,330mA |
| FET功能 | - | 逻辑电平门 |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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SI1016CX-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N+P-Channel 396 mOhms @ 500mA,4.5V 220mW SOT-563 -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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NTZD3155CT2G | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-563 |
￥0.7876
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3,974 | 对比 | ||||||||
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NTZD3155CT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 未分类 |
￥0.7326
|
1,280 | 对比 | |||||||||
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SSM6L36FE,LM | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
N+P-Channel ES6 150°C(TJ) 20V 500mA,330mA |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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SSM6L36FEAPL | Toshiba | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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|
NTZD3155CT2G | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-563 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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