SI1013CX-T1-GE3 与 SSM3J36FS,LF 区别
| 型号 | SI1013CX-T1-GE3 | SSM3J36FS,LF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SI1013CX-T1-GE3 | A3t-SSM3J36FS,LF |
| 制造商 | Vishay | Toshiba |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 330MA SSM | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 760mΩ@400mA,4.5V | - |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds | 20V | 20 V |
| Pd-功率耗散(Max) | 190mW(Ta) | 150mW(Ta) |
| 产品状态 | - | 在售 |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 1.31 欧姆 @ 100mA,4.5V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 43 pF @ 10 V |
| Vgs(th) | - | 1V @ 1mA |
| 栅极电压Vgs | ±8V | - |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 1.2 nC @ 4 V |
| 封装/外壳 | SC-89 | SSM |
| 连续漏极电流Id | 0.45A | 330mA(Ta) |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) |
| 系列 | TrenchFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 45pF @ 10V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.5nC @ 4.5V | - |
| Vgs(最大值) | - | ±8V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 1.5V,4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI1013CX-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
P-Channel 450mA(Ta) ±8V 190mW(Ta) 760mΩ@400mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SC-89 20V 0.45A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SSM3J36FS,LF | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 150mW(Ta) SSM 150°C(TJ) 20 V 330mA(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
FDY101PZ | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
|
FDY102PZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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