| 型号 | QSD123 | BPW96C |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-QSD123 | A3t-BPW96C |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 光电晶体管 |
| 描述 | QSD123 Series 30 V 880 nm Plastic Silicon Infrared Phototransistor - T-1 3/4 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 1/10W | 3/20W |
| 宽度 | - | 5.75mm |
| 半强度角度 | - | 20deg |
| 集电极—射极击穿电压 | - | 70V |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V | - |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 30V | - |
| 暗电流 | - | 200nA |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | - | 70V |
| 弱电流 | - | 8mA |
| 封装/外壳 | 径向,5mm 直径(T 1 3/4) | T-13/4 |
| 波长 | 880nm | 850nm |
| 工作温度 | -40°C~100°C(TA) | -40°C~100°C |
| 峰值波长 | - | 850nm |
| 长度 | - | 5.75mm |
| 电流-暗（Id）（最大值） | 100nA | - |
| 透镜颜色/类型 | - | Clear |
| 朝向 | 顶视图 | - |
| 开启状态集电极最大电流 | - | 50mA |
| 电流 - 暗（Id）（最大值） | 100nA | - |
| 视角 | 24° | - |
| 高度 | - | 8.6mm |
| 集电极—射极饱和电压 | - | 0.3V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
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