| 型号 | QSB363 | TEMT1040 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-QSB363 | A3t-TEMT1040 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 光电晶体管 |
| 描述 | QSB363 Series 30 V 940 nm Subminiature Plastic Silicon Infrared Phototransistor | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 电流-暗(Id)(最大值) | - | 200nA |
| 功率 | 3/40W | 100mW |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | - | 50mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 30V | - |
| 波长 | 940nm | 880nm |
| 封装/外壳 | 轴向 | - |
| 电压-集射极击穿(最大值) | - | 70V |
| 工作温度 | -40°C~85°C(TA) | -40°C~85°C |
| 方向 | - | 顶视图 |
| 朝向 | 顶视图 | - |
| 电流 - 暗（Id）（最大值） | 100nA | - |
| 视角 | 24° | 30° |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
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