| 型号 | QSB363ZR | TEMT1000 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-QSB363ZR | A-TEMT1000 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 光电晶体管 |
| 描述 | QSB363 Series 30 V 940 nm Subminiature Plastic Silicon Infrared Phototransistor | TEMT1000 Series 880 nm +/-15° 70 V 200 nA 180 kHz NPN Phototransistor |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 检测频谱 | 红外 | - |
| 功率 | 3/40W | 1/10W |
| 宽度 | 2.2mm | - |
| 电流-集电极（Ic）（最大值） | - | 50mA |
| Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) | 30V | - |
| 电压-集射极击穿（最大值） | - | 70V |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 30V | - |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 2mA | - |
| 波长 | 940nm | 950nm |
| 封装/外壳 | 2.7*2.2*3.0mm | 2-SMD,Z形弯曲d |
| 工作温度 | -40°C~85°C(TA) | -40°C~85°C(TA) |
| 长度 | 2.7mm | - |
| 电流-暗（Id）（最大值） | 100nA | 200nA |
| 朝向 | 顶视图 | 顶视图 |
| 集电极电流 | 1.5mA | - |
| 电流 - 暗（Id）（最大值） | 100nA | - |
| Power-Max | 75mW | - |
| 通道数目 | 1 Ohms | - |
| 视角 | 24° | 30° |
| 典型下降时间 | 15µs | - |
| 高度 | 3mm | - |
| 安装类型 | 表面安装 | - |
| 频谱范围内的灵敏度 | 940 nm | - |
| 半感光角度 | 12 ° | - |
| 最大暗电流 | 100nA | - |
| Current-Collector(Ic)(Max) | 2mA | - |
| 针数目 | 2 | - |
| 检测到的最大波长 | 940nm | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 30 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
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