QS6M3TR 与 SI3552DV-T1-GE3 区别
| 型号 | QS6M3TR | SI3552DV-T1-GE3 | ||||||||
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| 唯样编号 | A3t-QS6M3TR | A36-SI3552DV-T1-GE3 | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | TSMT6(SC-95) | TSOT-23-6 | ||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 1.5A | 2.5A | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 230mΩ@1.5A,4.5V | 105 mOhms @ 2.5A,10V | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 1mA | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V/20V | 30V | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 80pF @ 10V | - | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.25W | 1.15W | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 1.6nC @ 4.5V | - | ||||||||
| Vgs(th) | - | 1V @ 250uA(最小) | ||||||||
| FET类型 | N+P-Channel | N+P-Channel | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 2,140 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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QS6M3TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
N+P-Channel 30V,20V 230mΩ@1.5A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) 30V/20V 1.5A TSMT6(SC-95) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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SI3552DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
2.5A N+P-Channel 105 mOhms @ 2.5A,10V 1.15W TSOT-23-6 -55°C~150°C 30V |
￥2.805
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2,140 | 对比 |
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