| 型号 | QEC112 | TSAL4400 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-QEC112 | A-TSAL4400 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | IR红外发射管 |
| 描述 | 940 nm 100 mA ±25° Through Hole High Power Infrared Emitting Diode - T-1 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 波长 | 940nm | 940nm |
| 封装/外壳 | 径向,3mm 直径(T-1) | 径向,3mm 直径(T-1) |
| 工作温度 | -40°C~100°C(TA) | -40°C~85°C(TA) |
| 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值） | 6mW/sr @ 100mA | 16mW/sr @ 100mA |
| 电压 - 正向（Vf）（典型值） | 1.5V | 1.35V |
| 电流 - DC 正向（If） | 50mA | 100mA |
| 朝向 | 顶视图 | 顶视图 |
| 视角 | 18° | 50° |
| FET类型 | 红外(IR) | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 20 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
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