PXP018-30QLJ 与 SI7121ADN-T1-GE3 区别
| 型号 | PXP018-30QLJ | SI7121ADN-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-PXP018-30QLJ | A3-SI7121ADN-T1-GE3 |
| 制造商 | Nexperia | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | PXP018-30QL/SOT8002/MLPAK33 | P Channel 30 V 15 mO 3.5 W TrenchFET Power Mosfet - PowerPak 1212-8 (3x3) |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | - | 3.5W(Ta),27.8W(Tc) |
| 功率耗散(最大值) | 1.7W(Ta) | - |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - |
| 漏源极电压Vds | - | 2.5V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 447 pF @ 15 V | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±25V |
| FET类型 | N 通道 | P-Channel |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 10.8 nC @ 10 V | - |
| 封装/外壳 | SOT8002 | PowerPak1212-8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -50°C~150°C(TJ) |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250uA | - |
| 连续漏极电流Id | - | 18A |
| 系列 | - | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1870pF @ 15V |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 18 毫欧 @ 7.5A,10V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 50nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V | - |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 7.5A(Ta),19.2A(Tc) | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 漏源电压(Vdss) | 30 V | - |
| 导通电阻Rds(On) | - | 21mΩ |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 3,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PXP018-30QLJ | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT8002 -55°C~150°C(TJ) N 通道 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SI7121ADN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 12A(Ta) ±25V 3.5W(Ta),27.8W(Tc) 15m Ohms@7A,10V -50°C~150°C(TJ) PowerPAK® 1212-8 PowerPak1212-8 30V 18A 21mΩ 2.5V |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
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SI7121ADN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 12A(Ta) ±25V 3.5W(Ta),27.8W(Tc) 15m Ohms@7A,10V -50°C~150°C(TJ) PowerPAK® 1212-8 PowerPak1212-8 30V 18A 21mΩ 2.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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