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PSMN5R5-60YSK115  与  SIJ188DP-T1-GE3  区别

型号 PSMN5R5-60YSK115 SIJ188DP-T1-GE3
唯样编号 A3t-PSMN5R5-60YSK115 A3t-SIJ188DP-T1-GE3
制造商 Nexperia Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - PowerPAK® SO-8
功率耗散Pd - 5W(Ta),65.7W(Tc)
连续漏极电流Id - 25,5A(Ta),92,4A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C
漏源极电压Vds - 60V
Vgs(最大值) - ±20V
导通电阻Rds(On) - 3.85 mOhms @ 10A,10V
Vgs(th) - 3.6V @ 250uA
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN5R5-60YSK115 Nexperia 未分类

暂无价格 0 当前型号
SIJ188DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

25,5A(Ta),92,4A(Tc) N-Channel 3.85 mOhms @ 10A,10V 5W(Ta),65.7W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 60V

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